Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/31335| Название: | Composition and structure of Co films/Si substrate systems prepared by means of self-ion assisted deposition and accompanying silicon damage |
| Авторы: | Tashlykov, I. S. Zukowski, P. V. Mikhalkovich, O. M. Ermakov, Yu. A. Chernysh, V. S. |
| Ключевые слова: | БГПУ cobalt/silicon systems SIAD silicon damage |
| Дата публикации: | 2009 |
| Серия/номер: | 6th International conference «New electrical and electronic technologies and their industrial implementation NEET2009». Zakopane, June 23–26, 2009;p. 72 |
| Краткий осмотр (реферат): | The effects of ion implantation of Xe ions as a marker, irradiation of Co assisting ions on the damage of silicon structure and on the efficiency of intermixing of components in an interface region in cobalt/silicon systems constructed by means of the self-ion assisted deposition (SIAD) method was investigated by utilizing the Rutherford backscattering spectrometry in conjunction with channeling (RBS/C) technique and RUMP simulation code. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://elib.bspu.by/handle/doc/31335 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3-NEET2009-72-MOM.pdf | 340,45 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.