Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/24909
Название: The deformation scattering mechanism and conduction electron distribution function in aluminium
Авторы: Gostishchev, V.I.
Dem’yanov, S.Ye.
Sobol, V.R.
Ключевые слова: БГПУ
aluminium
electrical resistivity
magnetoresistance
low temperature
plastic deformation
Дата публикации: 1985
Серия/номер: Phys. Met. Metall;vol. 60, No. 1, pp. 63–68
Краткий осмотр (реферат): The influence of low-temperature plastic deformation on the electrical resistivity and magnetoresistance of aluminium is studied experimentally. During deformation realized by multiple slip, anisotropy of the electronic distribut ion function is independent of dislocation density, but the magnetoresistance has a maximum, associated with effective electron scattering at small angles in long-range stress fields. Conduction electron scattering at point deformation defects essentially makes the distribution function isotropic, as seen in growth of the temperature dependent addition to resistivity and in decline of the relative transverse magnetoresistance in the temperature range 4·2-30 K.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://elib.bspu.by/handle/doc/24909
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
14-Phys_Met_Metall-1985-60-1-СВР.pdf587,09 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.