Взаимопроникновение элементов подложки и тонкой пленки, осаждаемой в условиях ионного ассистирования

Abstract

Для установления положения границы раздела при изучении взаимопроникновения элементов подложки и тонкой пленки Ti или Со, получаемой методом ионно-ассистированного нанесения покрытий в условиях саморадиации (ИАНПУС), выполнены эксперименты с маркерными слоями ксенона, предварительно имплантированного в кремниевые образцы с энергией 40 кэВ дозами от 1*10^14 до 9*10^14 см^(–2). Энергия ассистирующих ионов Ti+ и Со+ составляла 7 кэВ. Полученные образцы исследовались методами резерфордовского обратного рассеяния (POP) ионов гелия с энергией 2 МэВ и компьютерного моделирования спектров рассеяния с использованием программы RUMP. Анализ спектров POP позволил обнаружить встречные потоки элементов матрицы в покрытие.