Радиационные дефекты структуры кремния при ионно-ассистированном нанесении покрытий на основе титана

Abstract

Изучены дефектообразование в подложке и построение профилей радиационных дефектов в кремниевой подложке по глубине. Объектом исследования являлась структура покрытие – подложка, сформированная методом ИАНПУС, а предметом исследования – дефектообразование в подложке, т. е. распределение дефектов по глубине. Для исследования использовался метод резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием ионов гелия, а также методика введения маркера Хе для определения реальной границы раздела фаз покрытие – подложка.