Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9287
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГуманский, Г. А.-
dc.contributor.authorМудрый, А. В.-
dc.contributor.authorПатрин, А. А.-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorШамаль, В. А.-
dc.date.accessioned2016-01-22T09:35:00Z-
dc.date.available2016-01-22T09:35:00Z-
dc.date.issued1974-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9287-
dc.description.abstractИзлагаются основные результаты исследования дефектообразования при имплантации кремния ионами углерода с Е=30–40 кэВ и интегральными потоками до 6*10^16 см^(-2). Иcпользуя ориентационную зависимость Резерфордовского рассеяния, были получены спектры обратно рассеянных ионов гелия при ориентировании оси <III> исследуемого кристалла в направлении пучка ионов и при случайной ориентации кристалла. На основании полученных спектров проведен анализ профиля распределения дефектов, дана количественная оценка степени повреждения кристалла, показано распределение углерода по глубине в имплантированном слое. На основании анализа низкотемпературных спектров люминесценции и оптического поглощения установлена природа дефектов, формирующихся при внедрении ионов углерода (дивакансии, 5-вакансионные комплексы и др.). Изохронный отжиг в интервале температур 0–900°С позволил изучить кинетику перестройки ряда дефектов.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesInternational conference on ion implantation in semiconductors. 9–12 September 1974, Lublin;vol. 1, pp. 226–238-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectдефектообразованиеru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectионная имплантацияru_RU
dc.subjectуглеродru_RU
dc.titleИсследование радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами углеродаru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-36-Konf-Lublin-sep_1974.pdf1,18 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.