Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9236Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Белый, И. М. | - |
| dc.contributor.author | Гуманский, Г. А. | - |
| dc.contributor.author | Карась, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Ломако, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
| dc.contributor.author | Тишков, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:53:43Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:53:43Z | - |
| dc.date.issued | 1975 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9236 | - |
| dc.description.abstract | В сообщении представлены экспериментальные результаты по синтезу тройных соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs. Сделан вывод о том, что синтез этих соединений методом ионно-лучевого легирования возможен при температурах подложки не более 500 °С, что противоречит выводам некоторых авторов, указанным в литературе. | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | «Наука», АН СССР, Ленинград | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика и техника полупроводников;т. 9, с. 2027–2029 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | алюминий | ru_RU |
| dc.subject | фосфор | ru_RU |
| dc.subject | синтез соединений | ru_RU |
| dc.title | Синтез соединений AlxGa1-xAs и GaAs1-xPx при внедрении ионов Al+ и P+ в GaAs | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-33-ФиТП-1975-9(2027-2030).pdf | 624,62 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.