Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9235
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБелый, И. М.-
dc.contributor.authorГуманский, Г. А.-
dc.contributor.authorСоловьев, В. С.-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorТишков, В. С.-
dc.contributor.authorГетц, Г.-
dc.contributor.authorХель, К.-
dc.contributor.authorШвабе, Ф.-
dc.date.accessioned2016-01-21T13:44:42Z-
dc.date.available2016-01-21T13:44:42Z-
dc.date.issued1975-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9235-
dc.description.abstractИзучены вопросы влияния условий легирования на синтез карбида кремния, количественного состава имплантированных слоев, их размеров и некоторые другие.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesInternational conference on ion implantation in semiconductors. 1975, Budapest;pp. 462–471-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectион углеродаru_RU
dc.subjectионная имплантацияru_RU
dc.subjectлегированиеru_RU
dc.titleИсследование слоев кремния, имплантированных стехиометрическими дозами ионов углеродаru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-32-Konf-Budapest-1975(462-471).pdf822,67 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.