Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9233Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф.Ф. | - |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:26:00Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:26:00Z | - |
| dc.date.issued | 1977 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9233 | - |
| dc.description.abstract | Темой исследования было изучение образования дефектов, определение их распределения по глубине в кристаллах арсенида галлия при имплантации ионов Р+. Исследование выполнялось неразрушающим методом ОР ускоренных легких ионов. | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Доклады АН БССР; т. XXI, № 10, с. 900–903 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | ионно-лучевое легирование | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | ион фосфора | ru_RU |
| dc.title | Исследование образования дефектов в GaAs при ионно-лучевом легировании | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-30-Докл_АН наук-1977-21-10(900-903).pdf | 666,03 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.