Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9232Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Комаров, Ф.Ф. | - |
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:19:29Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T13:19:29Z | - |
| dc.date.issued | 1977 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9232 | - |
| dc.description.abstract | Используя метод обратного рассеяния, изучено образование дефектов в GaAs при имплантации ионов фосфора с энергией 30 кэВ. В процессе имплантации кристаллы подогревались до температур от комнатной до 400 °С. Получена температурная зависимость радиационной поврежденности. Установлено влияние температуры имплантации на профили распределения дефектов. | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | Изд-во «Наука», Ленинград | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Физика и техника полупроводников;т. 11, с. 1976–1978 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | ион фосфора | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.title | Дефектообразование в арсениде галлия при имплантации ионов фосфора при различных температурах | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-29-ФиТП-1977-11(1976-1978).pdf | 629,7 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.