Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9231
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гуманский, Г. А. | - |
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
dc.contributor.author | Тишков, В. С. | - |
dc.date.accessioned | 2016-01-21T13:13:00Z | - |
dc.date.available | 2016-01-21T13:13:00Z | - |
dc.date.issued | 1978 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9231 | - |
dc.description.abstract | Темой работы было изучение образования дефектов, распределения их по глубине кристалла, а также выяснение пространственного распределения внедренных атомов углерода; изучение структурных превращений при высокотемпературной имплантации ионов С+ в кристаллы кремния. Исследования выполнялись методом обратного рассеяния ускоренных ионов Не+ и дифракции электронов на отражение. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | Сборник докладов Международной конференции по ионной имплантации в полупроводниках. Райнхардсбрунн, ГДР. 23–29 октября 1977 г.;т. 1, с. 15–24 | - |
dc.subject | БГПУ | ru_RU |
dc.subject | кремний | ru_RU |
dc.subject | ион углерода | ru_RU |
dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
dc.subject | высокая температура | ru_RU |
dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
dc.title | Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
6-28-Konf-GDR-oct_1977.pdf | 937,75 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.