Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9217
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.date.accessioned2016-01-21T10:45:09Z-
dc.date.available2016-01-21T10:45:09Z-
dc.date.issued1984-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9217-
dc.description.abstractИсследования кристаллов GaAs, имплантированных в широком температурном интервале ионами алюминия, позволили установить, при каких условиях имплантации в арсениде галлия формируются радиационные нарушения различных типов. При этом изучено пространственное распределение междоузельных атомов и их скоплений, дислокаций, дефектов упаковки в имплантированных кристаллах арсенида галлия при низких, комнатных и повышенных температурах. Выполненные исследования показали эффективность и возможности развития метода РОРКИ в условиях изменяемой начальной энергии анализирующих ионов.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherАН СССРru_RU
dc.relation.ispartofseriesПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика. Москва;№ 8, с. 77–82-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectалюминийru_RU
dc.subjectимплантация ионовru_RU
dc.subjectрадиационное нарушениеru_RU
dc.titleИзучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлияru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-14-Поверх(ФХМ)-1984-8(77-82).pdf777,56 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.