Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/9215
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.date.accessioned2016-01-21T10:31:14Z-
dc.date.available2016-01-21T10:31:14Z-
dc.date.issued1985-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/9215-
dc.description.abstractСделаны выводы о влиянии анализирующего пучка ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлия в зависимости от температуры среды. Даны рекомендации, которые следует учитывать при изучении кристаллов GaAs с применением метода обратного рассеяния.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherАН СССР, Москваru_RU
dc.relation.ispartofseriesПОВЕРХНОСТЬ. Физика, химия, механика;№ 3, с. 81–83-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectарсенид галлияru_RU
dc.subjectметод обратного рассеяния каналированных ионовru_RU
dc.subjectанализ качества кристалловru_RU
dc.titleВоздействие пучков анализирующих ионов гелия на структуру кристаллов арсенида галлияru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
6-12-Поверх(ФХМ)-1985-3(81-83).pdf616,31 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.