Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/9210Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ташлыков, Игорь Серафимович | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T09:51:12Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-21T09:51:12Z | - |
| dc.date.issued | 1988 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/9210 | - |
| dc.description.abstract | Представленные в работе результаты исследования дефектообразования в GaAs, имплантированном ионами с М1 от 27 до 65 и E от 60 до 110 кэВ, показывают, что, варьируя плотностью выделяемой в упругих процессах энергии ионов, можно управлять концентрацией остаточных нарушений в арсениде галлия. | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Доклады АН БССР;т. XXII, № 4, с. 317–319 | - |
| dc.subject | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | арсенид галлия | ru_RU |
| dc.subject | имплантация ионов | ru_RU |
| dc.subject | дефектообразование | ru_RU |
| dc.title | Повреждение GaAs при имплантации ионов с разной энергией | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 6-7-Докл_АН наук-1988-4(317-319).pdf | 641,1 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.