Топография и смачиваемость поверхности тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, осажденных на кремниевой подложке

Abstract

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований топографии и смачиваемости поверхности поглощающих слоев для солнечных элементов на основе тонких пленок Cu(In,Ga)Se2. Образцы были получены методом термического осаждения базовых слоев (Cu-In-Ga) на кремниевой подложке с молибденовым подслоем и без подслоя с последующим отжигом в парах Se. Установлено, что пленки являются неоднородными по структуре. При этом обнаружено, что на кремнии с подслоем Mo формируются пленки с большим значением шероховатости (120,92 нм), чем без подслоя молибдена (67,92 нм). Таким образом, материал подложки влияет на смачиваемость поверхности. Установлено, что поверхность исследуемых образцов обладает гидрофобными свойствами (РКУС составляет 91,9° на поверхности пленок CIGS на кремнии и 102,6° – на поверхности пленок CIGS/Mo). Экспериментально определено, что механизм смачивания пленок CIGS, осажденных на кремниевую подложку с Mo подслоем и без него, является гомогенным (состояние Венцеля–Дерягина). Рис. – 2. Табл. – 2. Библиогр. – 21 назв.