Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7988
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКозел, Ромуальд Николаевич-
dc.contributor.authorРавков, А. В.-
dc.date.accessioned2015-12-11T10:09:12Z-
dc.date.available2015-12-11T10:09:12Z-
dc.date.issued1974-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/7988-
dc.description.abstractВ статье предлагается метод определения ширины запрещённой зоны полупроводникового материала, используя вольтамперную характеристику полупроводникового диодаru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesСвойства и структура газов, жидкостей и твёрдых тел: сборник научных трудов;-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectполупроводниковый диодru_RU
dc.subjectэлектронно-дырочный переходru_RU
dc.titleОпределение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала с помощью диодаru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
стК11.pdf2,4 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.