Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7618
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorВеш, В.-
dc.contributor.authorВендлер, Э.-
dc.date.accessioned2015-11-19T09:11:02Z-
dc.date.available2015-11-19T09:11:02Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/7618-
dc.description.abstractМетодами POP/каналирования и компьютерного моделирования спектров рассеяния исследованы покрытия на основе С, Ti, Zr и Мо, нанесенные на Si подложку методом ионно-ассистируемого осаждения. Установлено, что в состав покрытий входят атомы материала подложки (Si), а также кислород, углерод и водород. Радиационное повреждение кремния вблизи межфазной границы практически не зависит от массы бомбардирующих ионов.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика и химия обработки материалов;№ 3, с. 30–33-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectтонкая пленкаru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectионно-ассистируемое осаждениеru_RU
dc.titleИонно-ассистируемое осаждение тонких пленок на основе С, Ti, Zr, Мо на кремнийru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Физ_и хим_обр_мат_2004-3-ТИС.pdf2,08 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.