Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7385
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТульев, Валентин Валентинович-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.date.accessioned2015-11-09T10:40:02Z-
dc.date.available2015-11-09T10:40:02Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/7385-
dc.description.abstractИзучалось перемешивание атомов Аl и Cu на границе раздела алюминиевой подложки с нанесенным на нее медным покрытием при облучении подготовленных структур ионами Аr+, Kr+ и Хе+. Определено, что дозы ~1,5·10^16 Аr+/см^2 являются оптимальными для наиболее глубокого проникновения Cu в Аl и незначительного распыления медной пленки на алюминии. Наблюдается обогащение кислородом поверхности Cu – Al структуры при ее облучении ионами Аr, Kr, Хе, однако глубина распределения О и Cu в Al значительно различаются, что обусловлено, по-видимому, разным типом химической связи О и Cu, вводимых в алюминий.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesФизика и химия обработки материалов;№ 3, с. 14–17-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectионно-ассистированное нанесение покрытийru_RU
dc.subjectметаллосодержащее покрытие Cu – Alru_RU
dc.titleСостав и распределение компонентов по глубине в Cu – Al структурах, формируемых методом ионного перемешиванияru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Физ_и хим_обр_мат-2000-3-ТИС.pdf2,02 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.