Состав и распределение компонентов по глубине в Cu – Al структурах, формируемых методом ионного перемешивания

Abstract

Изучалось перемешивание атомов Аl и Cu на границе раздела алюминиевой подложки с нанесенным на нее медным покрытием при облучении подготовленных структур ионами Аr+, Kr+ и Хе+. Определено, что дозы ~1,5·10^16 Аr+/см^2 являются оптимальными для наиболее глубокого проникновения Cu в Аl и незначительного распыления медной пленки на алюминии. Наблюдается обогащение кислородом поверхности Cu – Al структуры при ее облучении ионами Аr, Kr, Хе, однако глубина распределения О и Cu в Al значительно различаются, что обусловлено, по-видимому, разным типом химической связи О и Cu, вводимых в алюминий.