Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/7384
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБобрович, Олег Георгиевич-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorГлухатаренко, Т. И.-
dc.date.accessioned2015-11-09T10:23:29Z-
dc.date.available2015-11-09T10:23:29Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/7384-
dc.description.abstractРазработана новая методика введения маркера в подложку предварительной ионной имплантацией ксенона для определения границы раздела фаз покрытие – подложка. Данная методика в сочетании с резерфордовским обратным рассеянием ионов гелия позволила установить реальную границу, точность которой определяется страгглингом пробега (±5,7 нм) ионов ксенона в кремнии, между металлсодержащим покрытием и кремниевой подложкой и выявить процессы взаимопроникновения элементов покрытия вглубь подложки и встречной диффузии элементов подложки в покрытие.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherБГТУ, Минскru_RU
dc.relation.ispartofseriesТруды Белорусского государственного технологического университета. Сер. VI. Физико-математические науки и информатика;вып. VIII, с. 90–92-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectионно-ассистированное нанесение покрытийru_RU
dc.subjectметод ИАНПУСru_RU
dc.subjectмаркер ксенонru_RU
dc.subjectпокрытие Ti – Siru_RU
dc.titleИзучение границы раздела фаз в структуре Ti – Si с применением Хе маркераru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Труды_БГТУ.pdf2,01 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.