Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/55221Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Василевский, Сергей Александрович | - |
| dc.contributor.author | Гонтарев, Вячеслав Федорович | - |
| dc.contributor.author | Марголин, Леонид Наумович | - |
| dc.contributor.author | Януть, Виктор Иосифович | - |
| dc.date.accessioned | 2022-04-11T10:53:12Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-11T10:53:12Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/55221 | - |
| dc.description | Васілеўскі, С. А. Уплыў камбінаванага спалучэння мадыфікатараў (NI2 + I[PO4]3) на фізічныя ўласцівасці сегнетаэлектрычных крышталёў TGS / С. А. Васілеўскі [і інш.] // Вес. БДПУ. - 2002. - № 4. - С. 181-189. | ru_RU |
| dc.description.abstract | Накіраванае змяненне ўмоў вырошчвання крышталёў ТGS прыводзіць да з'яўлення новых уласцівасцяў, якія значна павышаюць іх практычную каштоўнасць. Для больш эфектыўнага ўжывання крышталёў ТGS неабходна ведаць, як уводзімыя мадыфікатары і ўмовы росту ўплываюць на іх структуру, што ў сваю чаргу робіць уплыў і на ўсе фізічныя параметры крышталёў. | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | сегнетоэлектрические кристаллы | ru_RU |
| dc.subject | кристаллы | ru_RU |
| dc.subject | издания БГПУ | ru_RU |
| dc.title | УПЛЫЎ КАМБІНАВАНАГА СПАЛУЧЭННЯ МАДЫФІКАТАРАЎ (NI2 + I[PO4]3) НА ФІЗІЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ СЕГНЕТАЭЛЕКТРЫЧНЫХ КРЫШТАЛЁЎ TGS | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| УПЛЫЎ КАМБІНАВАНАГА СПАЛУЧЭННЯ МАДЫФІКАТАРАЎ.pdf | 1,86 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.