Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/31609
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМихалкович, Олег Михайлович-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.date.accessioned2018-03-07T10:35:52Z-
dc.date.available2018-03-07T10:35:52Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/31609-
dc.description.abstractОбсуждаются результаты изучения композиционного состава, диффузионных процессов в Si, модифицированном ионно-ассистированным нанесением Ti, Со покрытий в условиях предварительного облучения ионами ксенона и необлученного.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherБГУ, Минскru_RU
dc.relation.ispartofseriesСборник научных трудов IV Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники». Минск, 23–24 сентября 2010 г.;с. 175–178-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectкремнийru_RU
dc.subjectионно-ассистированное осаждение покрытийru_RU
dc.subjectоблучение ионами Хе+ru_RU
dc.subjectдиффузионные процессы при нанесении покрытийru_RU
dc.titleВлияние облучения ионами Хе+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытийru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
3-МССЭ-2010-175-МОМ.pdf797,03 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.