Композиционный состав и повреждение поверхности кремния при ионно-ассистированном нанесении тонких пленок

Abstract

Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов в сочетании с каналированием изучены состав и структура поверхности Si(100), модифицированной ионно-ассистированным нанесением покрытий в условиях самооблучения. Установлено, что в состав покрытия входят атомы металла, водорода, углерода, кислорода, кремния. Межузельные атомы Si, генерируемые радиационным воздействием, диффундируют при нанесении металлсодержащего покрытия как вглубь кристалла, так и в покрытие. Обнаружено влияние величины энергии и интегрального потока ионов Хе+ на диффузионные процессы в кремнии.