Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elib.bspu.by/handle/doc/2004
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorТульев, Валентин Валентинович-
dc.contributor.authorТашлыков, Игорь Серафимович-
dc.contributor.authorЛитвинов, Д. А.-
dc.date.accessioned2015-01-23T10:41:16Z-
dc.date.available2015-01-23T10:41:16Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/2004-
dc.description.abstractМетодом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием определено, что при осаждении медного покрытия на алюминий методом динамического атомного перемешивания, в котором в качестве ассистирующих ионов использовались ионы Ar+ c энергией 6 кэВ и интегральными потоками (0,7–1,6)х1016 ион/см2, формируется медная пленка толщиной порядка 10–15 нм. Установлено, что толщина сформированного покрытия зависит от параметра I/A (отношение числа I ассистирующих ионов к числу А атомов осаждаемого покрытия). При расчете толщины пленки необходимо учитывать помимо распыления ассистирующими ионами атомов покрытия также распыление атомов подложки и атомов сопутствующих примесей.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesТруды БГТУ;№6(162)-
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectрезерфордовское обратное рассеяниеru_RU
dc.subjectосаждение медного покрытияru_RU
dc.subjectдинамическое атомное перемешиваниеru_RU
dc.titleВлияние параметров осаждения на толщину модифицированного слоя при динамическом атомном перемешивании Сu/Al структурru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:Научные публикации физико-математического факультета

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Труды БГТУ 2013.pdf625,63 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.