Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2

Abstract

Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2, при котором шихту, содержащую механическую смесь химических элементов Cu, Al и Te в нестехиометрическом соотношении, соответствующем составу Cu0,1900-0,027yAl0,2860 + 0,016yTe0,5240 + 0,011y, где y равно 0 или 0,5, помещают в ампулу, нагревают выше температуры плавления, кристаллизуют в печи с температурным градиентом 10-30 К/см путем охлаждения со скоростью 1-10 К/ч или протяжкой ампулы через температурный градиент со скоростью 0,4-0,8 м/ч и осуществляют отжиг при температуре (573 ± 10) К в течение (20 ± 2) часов.