Интегральный полупроводниковый датчик магнитного поля и его градиента

Abstract

Обсуждаются физические принципы функционирования датчика магнитного поля и его градиента на основе слаболегированного полупроводникового прямозонного материала на основе установленных экспериментально и аналитически закономерностей протекания постоянного тока по пластинчатому проводящему образцу в условиях воздействия сильного поперечного неоднородного магнитного поля. Полученные соотношения для характера распределения электрического поля и его потенциала адаптированы к полупроводниковому материалу.

Description

Keywords

БГПУ, магнитное поле, градиент магнитного поля, полупроводниковый материал, датчик магнитного поля

Citation

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By