Диэлектрические свойства кристаллов TGS, модифицированных L-валином и фосфором

Abstract

Осуществлена модификация кристаллов TGS путем частичного замещения глициновой и сульфатной групп на им изоморфные — L-валин и фосфатную. Экспериментальные исследования диэлектрических свойств модифицированных кристаллов позволяют сделать следующие выводы: 1) дейтерирование кристаллов LVTGS сдвигает температуру фазового перехода в область более высоких значений, в результате чего существенно расширяется их рабочий температурный диапазон; 2) модификация кристаллов TGS приводит к закреплению доменной структуры выращенных кристаллов; 3) полученные кристаллы LVDTGS, LVTGSP и TGSP могут использоваться в качестве рабочих элементов приемников ИК излучения, а кристаллы LVTGS в качестве элементов фазовращателей в приборах СВЧ.