Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/10883Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ярмолинская, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Марголин, Леонид Наумович | - |
| dc.date.accessioned | 2016-03-10T10:24:58Z | - |
| dc.date.available | 2016-03-10T10:24:58Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/10883 | - |
| dc.description.abstract | Изучены диэлектрические свойства (слабые и сильные электрические поля) модифицированных кристаллов TGS. В качестве модификаторов использовались как примеси внедрения (ионы Li+, Ni2+, Мо+, Cu2+, К+, Na+), так и замещения (L-α-аланин). | ru_RU |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | БГПУ, Минск | ru_RU |
| dc.relation.ispartofseries | Студэнцкая навукова-метадычная канферэнцыя, прысвечаная 80-годдзю БДПУ, "Актуальныя праблемы фізікі, матэматыкі, інфарматыкі". 24 красавіка 2002 г.;с. 3–5 | - |
| dc.subject | издания БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | триглицинсульфат | ru_RU |
| dc.subject | модифицированный кристалл | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрическое свойство | ru_RU |
| dc.title | Изменение сегнетоэлектрических свойств в процессе модификации кристаллов TGS | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации физико-математического факультета | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Акт_прабл-2002-МЛН-1.pdf | 628,49 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.