Влияние γ-облучения на нелинейные свойства модифицированных кристаллов TGS

Abstract

Исследованы нелинейные свойства модифицированных кристаллов группы TGS, подвергнутых различным дозам -облучения. Полученные результаты указывают на то, что облучение повреждает структуру кристаллической решетки, вызывает в сегнетоэлектрическом кристалле изменение симметрии структуры, при больших дозах облучения (20 Мрад) приводит к уничтожению сегнетоэлектрических свойств. Подавление сегнетоэлектрических свойств в рассматриваемых кристаллах под действием -облучения идет гораздо быстрее в кристаллах LVTGS, что очевидно связано со значительным увеличением числа разрушенных сегнетоактивных диполей за счет повреждения химических связей в радикале L-валина, ответственных за создание этих диполей.