Изменение сегнетоэлектрических свойств в процессе модификации кристаллов TGS
Loading...
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
БГПУ, Минск
Abstract
Изучены диэлектрические свойства (слабые и сильные электрические поля) модифицированных кристаллов TGS. В качестве модификаторов использовались как примеси внедрения (ионы Li+, Ni2+, Мо+, Cu2+, К+, Na+), так и замещения (L-α-аланин).
Description
Keywords
издания БГПУ, триглицинсульфат, модифицированный кристалл, диэлектрическое свойство