Ионометрическое исследование воздействия протонного облучения на чистый и примесный висмут

Abstract

С помощью метода ионометрии получены сведения о нарушениях кристаллической решетки в монокристаллах чистого висмута марки Bi 000 и его сплавов со свинцом трех концентраций: 0,2, 0,6 и 1 ат. % при облучении их протонами с энергией 100 кэВ. Образцы подвергались облучению интегральным потоком 5*10^15 см^(-2) и 1,0*10^16 см^(-2). После облучений снимались спектры обратного рассеяния, затем образцы отжигались и еще раз исследовались тем же методом. Отжиг проводился в течение 4 часов при температуре 120 °С. Изучено, как концентрация свинца в примесном материале влияет на число образующихся при облучении дефектов. Сделан вывод, что введение примеси свинца приводит к упрочению кристаллической решетки висмута.