Изучение Zr/Si-структур, полученных методом ионно-ассистируемого осаждения

Abstract

Исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, резонансной ядерной реакции, масс-спектрометрии вторичных ионов и компьютерным моделированием композиционный состав и распределения элементов по глубине в Zr/Si-структурах, полученных ионно-ассистируемым осаждением. Установлено, что сформированные покрытия содержат атомы циркония(4-6 ат. %), водорода (1-3 ат. %), углерода (60-70 ат. %), кислорода (25-35 ат. %) и кремния (6-8 ат. %). Приповерхностные слои образцов содержат карбиды SiC, ZrC и оксиды ZrO, SiO, углеводород CH, молекулы C2 и преципитаты Zr, Si, C, O. Водород в покрытиях частично находится в химически несвязанном состоянии.