Определение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала с помощью диода

dc.contributor.authorКозел, Ромуальд Николаевич
dc.contributor.authorРавков, А. В.
dc.date.accessioned2015-12-11T10:09:12Z
dc.date.available2015-12-11T10:09:12Z
dc.date.issued1974
dc.description.abstractВ статье предлагается метод определения ширины запрещённой зоны полупроводникового материала, используя вольтамперную характеристику полупроводникового диодаru_RU
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/7988
dc.language.isootherru_RU
dc.relation.ispartofseriesСвойства и структура газов, жидкостей и твёрдых тел: сборник научных трудов;
dc.subjectБГПУru_RU
dc.subjectполупроводникиru_RU
dc.subjectполупроводниковый диодru_RU
dc.subjectэлектронно-дырочный переходru_RU
dc.titleОпределение ширины запрещённой зоны полупроводникового материала с помощью диодаru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
стК11.pdf
Size:
2.34 MB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
105 B
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: