Влияние параметров осаждения на толщину модифицированного слоя при динамическом атомном перемешивании Сu/Al структур

Abstract

Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием определено, что при осаждении медного покрытия на алюминий методом динамического атомного перемешивания, в котором в качестве ассистирующих ионов использовались ионы Ar+ c энергией 6 кэВ и интегральными потоками (0,7–1,6)х1016 ион/см2, формируется медная пленка толщиной порядка 10–15 нм. Установлено, что толщина сформированного покрытия зависит от параметра I/A (отношение числа I ассистирующих ионов к числу А атомов осаждаемого покрытия). При расчете толщины пленки необходимо учитывать помимо распыления ассистирующими ионами атомов покрытия также распыление атомов подложки и атомов сопутствующих примесей.