Изучение типов радиационных нарушений в имплантированном алюминием арсениде галлия

Abstract

Исследования кристаллов GaAs, имплантированных в широком температурном интервале ионами алюминия, позволили установить, при каких условиях имплантации в арсениде галлия формируются радиационные нарушения различных типов. При этом изучено пространственное распределение междоузельных атомов и их скоплений, дислокаций, дефектов упаковки в имплантированных кристаллах арсенида галлия при низких, комнатных и повышенных температурах. Выполненные исследования показали эффективность и возможности развития метода РОРКИ в условиях изменяемой начальной энергии анализирующих ионов.