Пространственное распределение радиационных дефектов в висмуте, облученном протонами

Abstract

Работа является продолжением исследования воздействия различных видов облучения на электрические и структурные свойства висмута и его сплавов со свинцом. С помощью метода обратного рассеяния каналированных ионов получены сведения о профиле дефектообразования в монокристаллах чистого висмута марки Bi000 и его сплавов со свинцом трех концентраций: 0,2, 0,6 и 1,0 ат. % Pb, которые облучались протонами с энергией 100 кэВ и интегральным потоком 5*10^15 см^(-2) при комнатной температуре. Данные, полученные экспериментально, сопоставлены с теоретическими расчетами.