ЭМИССИОННЫЙ ЭФФЕКТ ПРИ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ TGSW
| dc.contributor.author | Вабищевич, Иван Александрович | |
| dc.contributor.author | Василевский, Сергей Александрович | |
| dc.contributor.author | Василевский, А. С. | |
| dc.contributor.author | Чепелев, Ю. Л. | |
| dc.contributor.author | Януть, Виктор Иосифович | |
| dc.date.accessioned | 2022-04-12T12:54:23Z | |
| dc.date.available | 2022-04-12T12:54:23Z | |
| dc.date.issued | 1996 | |
| dc.description | Вабищевич, И. А. Эмиссионный эффект при переполяризации кристаллов TGSW / И. А. Вабищевич [и др.] // Свойства сегнетоэлектриков : материалы науч.-практ. семинара / Беларус. гос. пед. ун-т ; .Л. Н. Марголин (отв. за вып.) – Минск, 1996. – С. 35-39. | ru_RU |
| dc.description.abstract | В монодоменном сегнетоэлектрике любое скалярное или векторное воздействие приводит к нарушению исходной зарядовой компенсации и появлению деполяризующего поля. В случае свободной поверхности такое электростатическое поле вызывает туннельную электронную эмиссию с полярных срезов кристалла. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/55238 | |
| dc.language.iso | other | ru_RU |
| dc.publisher | БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | переполяризация кристаллов TGSW | ru_RU |
| dc.subject | кристаллы TGSW | ru_RU |
| dc.subject | издания БГПУ | ru_RU |
| dc.subject | сегнетоэлектрика | ru_RU |
| dc.title | ЭМИССИОННЫЙ ЭФФЕКТ ПРИ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ TGSW | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1
Loading...
- Name:
- Эмиссионный эффект при переполяризации кристаллов TGSW.pdf
- Size:
- 632.07 KB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
License bundle
1 - 1 of 1
Loading...
- Name:
- license.txt
- Size:
- 197 B
- Format:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Description: