ЭМИССИОННЫЙ ЭФФЕКТ ПРИ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ TGSW

dc.contributor.authorВабищевич, Иван Александрович
dc.contributor.authorВасилевский, Сергей Александрович
dc.contributor.authorВасилевский, А. С.
dc.contributor.authorЧепелев, Ю. Л.
dc.contributor.authorЯнуть, Виктор Иосифович
dc.date.accessioned2022-04-12T12:54:23Z
dc.date.available2022-04-12T12:54:23Z
dc.date.issued1996
dc.descriptionВабищевич, И. А. Эмиссионный эффект при переполяризации кристаллов TGSW / И. А. Вабищевич [и др.] // Свойства сегнетоэлектриков : материалы науч.-практ. семинара / Беларус. гос. пед. ун-т ; .Л. Н. Марголин (отв. за вып.) – Минск, 1996. – С. 35-39.ru_RU
dc.description.abstractВ монодоменном сегнетоэлектрике любое скалярное или векторное воздействие приводит к нарушению исходной зарядовой компенсации и появлению деполяризующего поля. В случае свободной поверхности такое электростатическое поле вызывает туннельную электронную эмиссию с полярных срезов кристалла.ru_RU
dc.identifier.urihttp://elib.bspu.by/handle/doc/55238
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherБГПУru_RU
dc.subjectпереполяризация кристаллов TGSWru_RU
dc.subjectкристаллы TGSWru_RU
dc.subjectиздания БГПУru_RU
dc.subjectсегнетоэлектрикаru_RU
dc.titleЭМИССИОННЫЙ ЭФФЕКТ ПРИ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ TGSWru_RU
dc.typeArticleru_RU

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Эмиссионный эффект при переполяризации кристаллов TGSW.pdf
Size:
632.07 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
197 B
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: