Исследование переключательной способности γ-облученных кристаллов группы TGS

Abstract

Приводятся результаты исследования пироэлектрических свойств кристаллов группы TGS, содержащих L-а-аланин и подвергнутых различным дозам γ-облучения. Определены пироэлектрические параметры γ/ε при воздействии внешнего поляризующего и деполяризующего полей. Установлено, что пороговые поля насыщения и полной деполяризации для параметра γ/ε в кристаллах группы TGS зависят от содержания L-а-аланина и дозы γ-облучения кристаллов. Рис. – 3. Табл. – 1. Библиогр. – 4 назв.