ТОНКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ CU2NISN(S,SE)4 ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ

Abstract

Тонкие пленки Cu2NiSn(S,Se)4 (CNTSSe) перспективны в качестве недорогого и нетоксичного поглощающего слоя в солнечных элементах. В настоящее время для получения пленок CNTSSe уделяют большое внимание применению наиболее простой и дешевой технологии: на первом этапе получают прекурсоры Ni/Cu/Sn/Ni, а на втором этапе проводят термический отжиг в парах халькогена. В настоящей работе представлены результаты исследования элементного и фазового состава пленок CNTSSe, полученных таким методом.Cu2NiSn(S,Se)4 (CNTSSe) thin films are promising as an inexpensive and non-toxic absorbing layer in solar cells. At present, much attention is given to the use of the simplest and cheapest technology to obtain CNTSe films: at the first stage, Ni/Cu/Sn/Ni precursors are obtained, and at the second stage, thermal annealing is carried out in chalcogen vapor. This paper presents the results of studying the elemental and phase composition of CNTSSe films obtained by this method.