Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://elib.bspu.by/handle/doc/52855
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Kotov, D. A. | - |
dc.contributor.author | Kuznetsova, T. A. | - |
dc.contributor.author | Nikitiuk, S. A. | - |
dc.contributor.author | Lapitskaya, V. A. | - |
dc.contributor.author | Melnikova, G. B. | - |
dc.contributor.author | Мельникова, Галина Борисовна | - |
dc.contributor.author | Chizhik, S. A. | - |
dc.contributor.author | Zaporojchenko, U. V. | - |
dc.contributor.author | Yatsevich, E. V. | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-04T14:01:53Z | - |
dc.date.available | 2021-11-04T14:01:53Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bspu.by/handle/doc/52855 | - |
dc.description.abstract | The silicon wafer surface was processed by atmospheric pressure plasma. Atmospheric plasma treatment resulted in a significant improvement of the surface adhesion. The adhesion was measured as a coefficient of friction. The dependence of the friction coefficient of the silicon on the treatment modes was studied by the atomic force microscope. The use of the atmospheric discharge plasma made it possible to change the surface properties rapidly and at low cost without destroying it. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.publisher | ООО "Ковчег" | ru_RU |
dc.relation.ispartofseries | Plasma Physics and Plasma Technology (PPPT-9);IX International conference (Minsk, 17-21 september, 2018) - P. 49-52. | - |
dc.subject | кремниевая пластина | ru_RU |
dc.subject | плазма | ru_RU |
dc.subject | обработка атмосферной плазмой | ru_RU |
dc.title | INCREASE IN THE SILICON SURFACE ADHESION BY TREATMENT IN ATMOSPHERIC PLASMA | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | Научные публикации факультета естествознания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Increase in the silicon surface adhesion by treatment in atmospheric plasma .pdf | 503,11 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.