Распределение углерода в кремнии при ионной имплантации

Abstract

Приводится анализ пространственного распределения углерода, внедренного в кремний методом ионно-лучевого легирования, а также сведения об изменениях профилей пространственного распределения углерода в кремнии при термообработке и о глубинном распределении атомов матрицы (кремния) в имплантированном слое. Исследование выполнено неразрушающим методом – методом обратного рассеяния ускоренных до энергии 1,4 мэВ ионов гелия.