1. Репозиторий БГПУ
  2. ФАКУЛЬТЕТЫ. ИНСТИТУТЫ
  3. Физико-математический факультет
  4. Научные публикации физико-математического факультета

поиск


Текущие фильтры:
Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результата поиска..

 | 
Результаты 1-10 из 32.
Найденные ресурсы:
Дата выпускаНазваниеАвтор(ы)
2007Analysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted depositionTashlykov, I. S.; Zukowski, P. V.; Baraishuk, S. M.; Mikhalkovich, O. M.
1993Improvement of physical and chemical properties of steel implanted with Cr+, Ti+, Si+ ionsTashlykov, I. S.; Belyi, I. M.; Bobrovich, O. G.; Tuljev, V. V.; Shadrukhin, M. G.; Kolotyrkin, V. I.; Tomashpolskii, M. Yu.; Kulikauskas, V. S.
2008Physical modification of filler of elastomer compositionsBerezun, E. V.; Kasperovich, A. V.; Tashlykov, I. S.; Shashok, Z. S.; Zukowski, P.; Koltunowicz, T.; Kolasik, M.; Kozak, C.
1995Deposition of metal layers on carbon assisted with the same metal’s ion radiationTashlykov, I. S.; Bobrovich, O. G.; Palchekh, V. Ch.; Tuljev, V. V.; Alov, N. V.; Kulikauskas, V. S.; Wolf, G. K.
2005Radiation damage of Si wafers modified by means of thin layer ion assisted depositionTashlykov, I. S.; Bobrovich, O. G.
2015Composition and morphology of Ti and W coatings deposited on silicon during ion-beam assistanceBobrovich, O. G.; Mikhalkovich, O. M.; Tashlykov, I. S.
1997Radiation damage and amorphization mechanisms in Xe+ irradiated CuInSe2 single crystalsYakushev, M. V.; Tashlykov, I. S.; Tomlinson, R. D.; Hill, A. E.; Pilkington, R. D.
1997Evaluation of coatings produced by low-energy ion assisted deposition of co on siliconTashlykov, I. S.; Carter, G.; Colligon, J. S.
1986Effect of atomic mixing on the electrochemical and corrosion properties of Ni-Ti surfacesTashlykov, I. S.; Slesarenko, O. A.; Colligon, J. S.; Kheyrandish, H.
1980Peculiarities of distribution of defects and introduced impurity in P+-implanted GaAs crystalsKomarov, F. F.; Tashlykov, I. S.

Открыть